Справочник MOSFET. TPM2601C3

 

TPM2601C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPM2601C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для TPM2601C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPM2601C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2529K  cn tech public
 tpm2601c3.pdf pdf_icon

TPM2601C3

TPM26 01 C3P-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications (typ) @VGS =4.5V. -20V, -2.3A, RDS(ON) =100m Battery protection RDS(ON) = 125m (typ) @VGS = 2.5V. Load switch Power management SOT-323 package. Ordering InformationPart Number Qty per Reel Reel SizeTPM2601C3 3000 7DSGSOT-323Absolute Maximum Ratings (TA=25C unle

Другие MOSFET... TPM2008EP3-A , TPM2008P3 , TPM2009EP3 , TPM2019-3 , TPM2030-3 , TPM2077 , TPM2101BC3 , TPM2102BC3 , IRF1405 , TPM3008EP3 , TPM3134NX3 , TPM3139K , TPM4105EC6 , TPM4153-3 , TPM5121NEC6 , TPM603NT3 , TPM62D0LFB .

History: HM5N65F | RJU003N03T106 | TTP145N08A

 

 
Back to Top

 


 
.