TPM3008EP3 - описание и поиск аналогов

TPM3008EP3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPM3008EP3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.155 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: DFN1006-3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам