Справочник MOSFET. TPM5121NEC6

 

TPM5121NEC6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPM5121NEC6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT363
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TPM5121NEC6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1932K  cn tech public
tpm5121nec6.pdfpdf_icon

TPM5121NEC6

V2.5

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TSM9426DCS | AP4800CGM-HF | STS65R580SS2TR | IRHM9250 | SWP8N65D | HM25P15D | IPA50R650CE

 

 
Back to Top

 


 
.