TPNTJD4105CT1G - описание и поиск аналогов

TPNTJD4105CT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPNTJD4105CT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: SOT363

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам