Справочник MOSFET. K4018

 

K4018 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: K4018
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.6 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 21 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 180 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для K4018

 

 

K4018 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  cn vbsemi
k4018.pdf

K4018 K4018

K4018www.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100 % UIS tested0.055 at VGS = 10 V 250.057 at VGS = 4.5 V 100 25 21nC0.070 at VGS = 2.5 V 18APPLICATIONS Primary side switchDTO-252GG D SSN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless

 0.1. Size:775K  toshiba
2sk4018.pdf

K4018 K4018

2SK4018 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (L --MOS V) 2SK4018 Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Unit: mmApplications MAX 4 V gate drive Low drain-source ON-resistance : RDS (ON) = 0.28 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs|

 0.2. Size:79K  renesas
r07ds0215ej rjk4018dpk.pdf

K4018 K4018

Preliminary Datasheet RJK4018DPK R07DS0215EJ0200(Previous: REJ03G1490-0100)Silicon N Channel MOS FET Rev2.00High Speed Power Switching Dec 03, 2010Features Low on-resistance RDS(on) = 0.085 typ. (at ID = 21.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A(Package name:TO-3P)D1. Ga

 0.3. Size:355K  inchange semiconductor
2sk4018.pdf

K4018 K4018

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK4018FEATURESDrain Current : I = 3.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.35(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top