Справочник MOSFET. KD2310

 

KD2310 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KD2310
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.09 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для KD2310

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KD2310 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:908K  cn vbsemi
 kd2310.pdf pdf_icon

KD2310

KD2310www.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.085 at VGS = 10 V 4.060 2.1 nC 100 % Rg Tested0.096 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Battery Switch DC/DC ConverterDTO-236(SOT23)G 1

Другие MOSFET... ME9926 , J330 , K3150 , K4018 , MMBF170LT1G , MMDF3N04HD , MCH3409-TL , KD2306A , IRFB4227 , KD3400SRG , IRLU110P , IRLU3103P , IRLU3410P , ISL9N306AD3S , ISL9N308AD3ST , ISL9N308AD3 , K1307 .

 

 
Back to Top

 


 
.