Справочник MOSFET. IRLU3410P

 

IRLU3410P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLU3410P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 61 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.110(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для IRLU3410P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLU3410P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1462K  cn vbsemi
 irlu3410p.pdf pdf_icon

IRLU3410P

IRLU3410Pwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.115 at VGS = 10 V15 100 % Rg Tested1000.120 at VGS = 6 V 15APPLICATIONS Primary Side SwitchTO-251DGSG D SN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise

 0.1. Size:285K  international rectifier
 irlr3410pbf irlu3410pbf.pdf pdf_icon

IRLU3410P

PD - 95087AIRLR/U3410PbFl Logic Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel Surface Mount (IRLR3410)Dl Straight Lead (IRLU3410) VDSS = 100Vl Advanced Process Technologyl Fast SwitchingRDS(on) = 0.105Gl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 17ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing tec

 0.2. Size:285K  international rectifier
 irlu3410pbf irlr3410pbf.pdf pdf_icon

IRLU3410P

PD - 95087AIRLR/U3410PbFl Logic Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel Surface Mount (IRLR3410)Dl Straight Lead (IRLU3410) VDSS = 100Vl Advanced Process Technologyl Fast SwitchingRDS(on) = 0.105Gl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 17ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing tec

 6.1. Size:261K  inchange semiconductor
 irlu3410.pdf pdf_icon

IRLU3410P

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLU3410FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.