K3569 datasheet, аналоги, основные параметры

K3569 - это N-канальный MOSFET, оптимизированный для построения высокоэффективных и надежных импульсных схем питания и управления.

Основные характеристики:

  • Конструкция: Вертикальная MOSFET структура, которая обеспечивает хорошие электрические параметры.
  • Напряжение: Обладает высоким максимальным напряжением сток-исток.
  • Сопротивление: Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)).
  • Скорость: Высокая скорость переключения благодаря малому заряду затвора.
  • Корпус: Выполнен в корпусе TO220.

Сферы применения:

  • Импульсные источники питания (SMPS).
  • Драйверы электродвигателей.
  • Инверторы и преобразователи напряжения.

Ключевые преимущества:

  • Высокая эффективность: Сочетание низкого RDS(on) и быстрого переключения позволяет минимизировать потери энергии, что критично для КПД системы.
  • Надежность в сложных условиях: Хорошая лавинная стойкость обеспечивает устойчивость к выбросам напряжения, возникающим при коммутации индуктивных нагрузок.
  • Пригодность для высоких частот: Низкий заряд затвора делает этот транзистор применимым в высокочастотных преобразователях.
  • Компактность и теплоотвод: Корпус TO220 позволяет создавать компактные силовые каскады с эффективным отводом тепла на радиатор.

Практические рекомендации:

  • Для реализации преимуществ высокой скорости переключения необходим соответствующий драйвер затвора.
  • Как и для любого компонента в корпусе TO220, при значительной рассеиваемой мощности требуется установка на радиатор.

Наименование производителя: K3569  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 typ Ohm

Тип корпуса: TO220AB TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для K3569

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

K3569 даташит

 ..1. Size:1972K  cn vbsemi
 k3569.pdf pdf_icon

K3569

K3569 www.VBsemi.tw N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.68 43 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) Ultra low gate charge (Qg) 5 Qgs (nC) Avalanche energy rated (UIS) 22 Qgd (nC) Configuration

 0.1. Size:233K  toshiba
 2sk3569.pdf pdf_icon

K3569

2SK3569 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSVI) 2SK3569 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.54 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Abso

 0.2. Size:214K  inchange semiconductor
 2sk3569.pdf pdf_icon

K3569

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3569 DESCRIPTION Drain Current I = 10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 600V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching Regulators DC-DC Converter, Motor Control ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V D

Другие IGBT... IRLU3103P, IRLU3410P, ISL9N306AD3S, ISL9N308AD3ST, ISL9N308AD3, K1307, K2543, K2543-FP, 2SK3878, K3569-FP, K4145, KD2301, KD3422A, KD4953, LR024N, LR8103V, LU120N