Справочник MOSFET. LU120N

 

LU120N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LU120N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 61 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.110(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для LU120N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LU120N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:867K  cn vbsemi
lu120n.pdfpdf_icon

LU120N

LU120Nwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.115 at VGS = 10 V15 100 % Rg Tested1000.120 at VGS = 6 V 15APPLICATIONS Primary Side SwitchTO-251DGSG D SN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise no

 0.1. Size:173K  1
irlu120n.pdfpdf_icon

LU120N

PD - 91541BIRLR/U120NHEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRLR120N)D Straight Lead (IRLU120N)VDSS = 100V Advanced Process Technology Fast SwitchingRDS(on) = 0.185 Fully Avalanche RatedGDescription ID = 10ASFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest possible on-resistance per silicon area. Th

 0.2. Size:270K  international rectifier
irlr120npbf irlu120npbf.pdfpdf_icon

LU120N

IRLR120NPbFIRLU120NPbFHEXFET Power MOSFETl Surface Mount (IRLR120N)l Straight Lead (IRLU120N)Dl Advanced Process TechnologyVDSS = 100Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.185l Lead-FreeGDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize ID = 10ASadvanced processing techniques to achieve the lowest possibleon-resistance pe

 0.3. Size:221K  inchange semiconductor
irlu120n.pdfpdf_icon

LU120N

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLU120NFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

Другие MOSFET... K3569 , K3569-FP , K4145 , KD2301 , KD3422A , KD4953 , LR024N , LR8103V , 8205A , MDD1653RH , MDU2657RH , MDV1595SU , ME20N10 , ME4410 , MEM2301 , MEM2302 , MI4800 .

 

 
Back to Top

 


 
.