Справочник MOSFET. MMDF3P03HDR

 

MMDF3P03HDR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMDF3P03HDR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для MMDF3P03HDR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMDF3P03HDR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:919K  cn vbsemi
mmdf3p03hdr.pdfpdf_icon

MMDF3P03HDR

MMDF3P03HDRwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top

 0.1. Size:203K  motorola
mmdf3p03hdrev1.pdfpdf_icon

MMDF3P03HDR

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMDF3P03HD/DDesigner's Data SheetMMDF3P03HDMedium Power Surface Mount ProductsMotorola Preferred DeviceTMOS Dual P-ChannelField Effect TransistorsDUAL TMOSPOWER MOSFETDual HDTMOS devices are an advanced series of power30 VOLTSMOSFETs which utilize Motorolas High Cell Density TMOSRDS(on) = 100 mWproce

 4.1. Size:208K  motorola
mmdf3p03hd.pdfpdf_icon

MMDF3P03HDR

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMDF3P03HD/DDesigner's Data SheetMMDF3P03HDMedium Power Surface Mount ProductsMotorola Preferred DeviceTMOS Dual P-ChannelField Effect TransistorsDUAL TMOSPOWER MOSFETDual HDTMOS devices are an advanced series of power30 VOLTSMOSFETs which utilize Motorolas High Cell Density TMOSRDS(on) = 100 mWproce

 9.1. Size:240K  motorola
mmdf3n03hd.pdfpdf_icon

MMDF3P03HDR

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMDF3N03HD/DDesigner's Data SheetMMDF3N03HDMedium Power Surface Mount ProductsMotorola Preferred DeviceTMOS Dual N-ChannelField Effect TransistorsDUAL TMOSMiniMOS devices are an advanced series of power MOSFETsPOWER MOSFETwhich utilize Motorolas High Cell Density HDTMOS process. 4.1 AMPERESThese min

Другие MOSFET... MDU2657RH , MDV1595SU , ME20N10 , ME4410 , MEM2301 , MEM2302 , MI4800 , MMBF0201NLT1G , AON7506 , MT2300ACTR , MT4435ACTR , MT4606 , MT6680 , MTD20N03HDLT4G , MTD20N06HDLT4G , MTD3055EL , MTP60N06HD .

History: TK3R1A04PL | ST2302MSRG | TSM900N06CH | GSM4435 | 2SK3642-ZK | IPP60R090CFD7 | 60N10B

 

 
Back to Top

 


 
.