Справочник MOSFET. N3PF06

 

N3PF06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: N3PF06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для N3PF06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

N3PF06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1492K  cn vbsemi
 n3pf06.pdf pdf_icon

N3PF06

N3PF06www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.055 at VGS = - 10 V - 7.0APPLICATIONS- 60 30 nC0.065 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Load SwitchSSOT-223GDSDGDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Parameter

 0.1. Size:255K  st
 stn3pf06.pdf pdf_icon

N3PF06

STN3PF06P-channel 60 V - 0.20 - 2.5 A - SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax2STN3PF06 60 V

 0.2. Size:778K  cn vbsemi
 stn3pf06.pdf pdf_icon

N3PF06

STN3PF06www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.055 at VGS = - 10 V - 7.0APPLICATIONS- 60 30 nC0.065 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Load SwitchSSOT-223GDSDGDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Paramet

Другие MOSFET... MT4435ACTR , MT4606 , MT6680 , MTD20N03HDLT4G , MTD20N06HDLT4G , MTD3055EL , MTP60N06HD , MTP8N06 , 18N50 , NCE0117 , NCE3010S , NCE3035G , NCE3080KA , NCE30H10 , NCE30H12K , NCE4503S , NCE4606 .

History: RUH30150M | CMI80N06 | FDMS0302S | RU20N65R | IPP200N25N3 | IRF830ALPBF

 

 
Back to Top

 


 
.