NCE4606 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NCE4606  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NCE4606

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE4606 даташит

 ..1. Size:434K  ncepower
 nce4606.pdf pdf_icon

NCE4606

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE4606 N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4606 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features N-channel P-channel N-Channel VDS =

 ..2. Size:1506K  cn vbsemi
 nce4606.pdf pdf_icon

NCE4606

NCE4606 www.VBsemi.tw N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.024 at VGS = 4.5 V 8e 0.032 at VGS

 0.1. Size:397K  ncepower
 nce4606b.pdf pdf_icon

NCE4606

http //www.ncepower.com NCE4606B N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4606B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. N-channel P-channel General Features N-Channel Schematic diagram VDS

 0.2. Size:423K  ncepower
 nce4606a.pdf pdf_icon

NCE4606

http //www.ncepower.com NCE4606A N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4606A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features N-channel P-channel N-Channel VDS = 30V,ID =6.5A Sc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... N3PF06, NCE0117, NCE3010S, NCE3035G, NCE3080KA, NCE30H10, NCE30H12K, NCE4503S, STF13NM60N, NCE4953, NCE55P04S, NCE55P05S, NCE60P25K, NDS331N-NL, NDS332P-NL, NDS9948-NL, NIF5002NT1G