Справочник MOSFET. NTMD3P03R2G

 

NTMD3P03R2G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTMD3P03R2G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для NTMD3P03R2G

 

 

NTMD3P03R2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:868K  cn vbsemi
 ntmd3p03r2g.pdf

NTMD3P03R2G NTMD3P03R2G

NTMD3P03R2Gwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top

 4.1. Size:146K  onsemi
 ntmd3p03r2.pdf

NTMD3P03R2G NTMD3P03R2G

NTMD3P03R2Power MOSFET-3.05 Amps, -30 VoltsDual P-Channel SOIC-8Features High Efficiency Components in a Dual SOIC-8 Package High Density Power MOSFET with Low RDS(on) http://onsemi.com Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft RecoveryVDSS RDS(ON) Typ ID Max IDSS Specified at Elevated Temperature Avala

 6.1. Size:110K  onsemi
 ntmd3p03 nvmd3p03.pdf

NTMD3P03R2G NTMD3P03R2G

NTMD3P03, NVMD3P03Power MOSFET-3.05 Amps, -30 VoltsDual P-Channel SOIC-8Features High Efficiency Components in a Dual SOIC-8 Package High Density Power MOSFET with Low RDS(on)http://onsemi.com Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specified at Elevated TemperatureVDSS RDS(ON) Typ ID Max

 9.1. Size:159K  onsemi
 ntmd3n08lr2.pdf

NTMD3P03R2G NTMD3P03R2G

NTMD3N08LR2Power MOSFET2.3 Amps, 80 VoltsN-Channel Enhancement-ModeSO-8 Dual Packagehttp://onsemi.comFeatures Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiency2.3 AMPERES RDS(on) = 0.215 W, VGS = 10 V80 VOLTS RDS(on) = 0.245 W, VGS = 5.0 V Low Reverse Recovery Losses215 mW @ VGS = 5 V (Typ) Internal RG = 50 W Designed for Power Management Solutio

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top