PHB32N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PHB32N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0233(typ) Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для PHB32N06
PHB32N06 Datasheet (PDF)
phb32n06.pdf
PHB32N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Max)Definition Surface Mount0.023 at VGS = 10 V 5060 66 nC Available in Tape and Reel0.027 at VGS = 4.5 V40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS Dir
php32n06lt php32n06lt phb32n06lt.pdf
PHP32N06LT; PHB32N06LTN-channel enhancement mode field effect transistorRev. 01 06 November 2001 Product data1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP32N06LT in SOT78 (TO220AB)PHB32N06LT in SOT404 (D2-PAK).2. Features TrenchMOS technology Logic level compatible.
phb32n06lt.pdf
PHB32N06LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 30 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Feature
Другие MOSFET... NTR0202PLT1G , NTR4502PT1G , NTS2101PT1G , NTS4101PT1G , P0603BVG , P120NF10 , P60NF06 , P80NF55-08 , AO4468 , PHD78NQ03L , PHK12NQ03L , RFD15P05SM , RFP6P08 , RJK0822SPN , RRS130N03 , RSS100N03T , SDM4953A .
History: SI4810DY | SWHA088R06VT | MMFTN3019E | AP2306AGN | TPCA8123 | IRF7343 | SVS20N60KD2
History: SI4810DY | SWHA088R06VT | MMFTN3019E | AP2306AGN | TPCA8123 | IRF7343 | SVS20N60KD2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364




