Справочник MOSFET. RRS130N03

 

RRS130N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RRS130N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0122(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для RRS130N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRS130N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  cn vbsemi
 rrs130n03.pdf pdf_icon

RRS130N03

RRS130N03www.VBsemi.comN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

Другие MOSFET... P60NF06 , P80NF55-08 , PHB32N06 , PHD78NQ03L , PHK12NQ03L , RFD15P05SM , RFP6P08 , RJK0822SPN , 20N60 , RSS100N03T , SDM4953A , SI1539CDL-T1 , SI1553CDL-T1-GE3 , SI1555DL-T1 , SI1967DH-T1-GE3 , SI2300BDS-T1-GE3 , SI2300DS-T1-GE3 .

 

 
Back to Top

 


 
.