SI2301DS-T1-GE3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI2301DS-T1-GE3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 180 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035(typ) Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для SI2301DS-T1-GE3
SI2301DS-T1-GE3 Datasheet (PDF)
si2301ds-t1-ge3.pdf
SI2301DS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICAT
si2301ds-3.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2301DS (KI2301DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) =-20V RDS(ON) 100m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 150m (VGS =-2.5V)1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2G 13 D1. GateS 22. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 se
si2301ds.pdf
Si2301DSVishay SiliconixP-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.130 @ VGS = - 4.5 V -2.3-20200.190 @ VGS = - 2.5 V -1.9TO-236(SOT-23)G 13 DOrdering Information: Si2301DS-T1S 2Top ViewSi2301DS (A1)**Marking CodeABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS -20
si2301ds.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2301DS (KI2301DS) FeaturesSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1 VDS (V) =-20V+0.10.4-0.1 RDS(ON) 130m (VGS =-4.5V)3 RDS(ON) 190m (VGS =-2.5V)1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1G 11.Gate3 D2.SourceS 23.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
