SI2301DS-T1-GE3
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI2301DS-T1-GE3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 4.5
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 10
nC
trⓘ -
Время нарастания: 20
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(typ)
Ohm
Тип корпуса:
SOT23
Аналог (замена) для SI2301DS-T1-GE3
SI2301DS-T1-GE3
Datasheet (PDF)
0.1. Size:866K cn vbsemi
si2301ds-t1-ge3.pdf 
SI2301DS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICAT
5.1. Size:1968K kexin
si2301ds-3.pdf 
SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2301DS (KI2301DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) =-20V RDS(ON) 100m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 150m (VGS =-2.5V)1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2G 13 D1. GateS 22. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 se
6.1. Size:61K vishay
si2301ds.pdf 
Si2301DSVishay SiliconixP-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.130 @ VGS = - 4.5 V -2.3-20200.190 @ VGS = - 2.5 V -1.9TO-236(SOT-23)G 13 DOrdering Information: Si2301DS-T1S 2Top ViewSi2301DS (A1)**Marking CodeABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS -20
6.2. Size:1698K kexin
si2301ds.pdf 
SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2301DS (KI2301DS) FeaturesSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1 VDS (V) =-20V+0.10.4-0.1 RDS(ON) 130m (VGS =-4.5V)3 RDS(ON) 190m (VGS =-2.5V)1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1G 11.Gate3 D2.SourceS 23.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit
Другие MOSFET... FMM50-025TF
, FMM60-02TF
, FMM75-01F
, FMP26-02P
, FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, RFP50N06
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, GMM3x180-004X2-SMD
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
.
