SI2302CDS-T1-GE3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI2302CDS-T1-GE3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 typ Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для SI2302CDS-T1-GE3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI2302CDS-T1-GE3 даташит
si2302cds-t1-ge3.pdf
SI2302CDS-T1-GE3 www.VBsemi.tw N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) Definition 0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 6a 100 % Rg Tested 20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.050 at VGS = 1.8 V 5.6 APPLICATIONS DC/
si2302cds.pdf
Si2302CDS Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Material categorization 0.057 at VGS = 4.5 V 2.9 For definitions of compliance please see 20 3.5 0.075 at VGS = 2.5 V www.vishay.com/doc?99912 2.6 APPLICATIONS Load Switching for Portable Devices DC/DC Converter TO
si2302cd.pdf
Si2302CDS Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.057 at VGS = 4.5 V 2.9 20 3.5 RoHS 0.075 at VGS = 2.5 V APPLICATIONS 2.6 COMPLIANT Load Switching for Portable Devices DC/DC Converter TO-236 (SOT-23) G 1 3 D S 2 Top View Si2302
Другие MOSFET... SI1555DL-T1 , SI1967DH-T1-GE3 , SI2300BDS-T1-GE3 , SI2300DS-T1-GE3 , SI2301ADS-T1 , SI2301BDS-T1-GE3 , SI2301CDS-T1 , SI2301DS-T1-GE3 , IRFB4227 , SI2302DS-T1-GE3 , SI2305ADS-T1-GE3 , SI2305CDS-T1-GE3 , SI2305DS-T1-GE3 , SI2309CDS-T1-GE3 , SI2312BDS-T1 , SI2312CDS-T1-GE3 , SI2324DS-T1-GE3 .
History: WMP08N80M3 | SM7307DSKP | SSW7N60B | 2SK3575-Z | ISCNH342W | STD3NK60ZT4 | SM6012NSUC
History: WMP08N80M3 | SM7307DSKP | SSW7N60B | 2SK3575-Z | ISCNH342W | STD3NK60ZT4 | SM6012NSUC
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor



