FDB045AN08A0 - описание и поиск аналогов

 

FDB045AN08A0. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDB045AN08A0

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO263 D2PAK

Аналог (замена) для FDB045AN08A0

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB045AN08A0 даташит

 ..1. Size:543K  fairchild semi
 fdb045an08a0.pdf pdf_icon

FDB045AN08A0

May 2006 tm FDB045AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.5m Features Applications rDS(ON) = 3.9m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low QRR Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capability (Si

 0.1. Size:693K  onsemi
 fdb045an08a0-f085.pdf pdf_icon

FDB045AN08A0

FDB045AN08A0-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET Applications 75V, 80A, 4.5m 42V Automotive Load Control Starter / Alternator Systems Features rDS(ON) = 3.9m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Electronic Power Steering Systems Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V Electronic Valve Train Systems Low Miller Charge DC-DC converters and Off-line UPS Low QRR B

 4.1. Size:252K  fairchild semi
 fdb045an08 f085.pdf pdf_icon

FDB045AN08A0

June 2010 _ FDB045AN08A0 F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.5m Features Applications rDS(ON) = 3.9m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low QRR Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capability

 9.1. Size:551K  fairchild semi
 fdb047n10.pdf pdf_icon

FDB045AN08A0

August 2008 FDB047N10 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 164A, 4.7m Description General Description RDS(on) = 3.9m ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is producedusing Fairchild Semicon- ductor s advance PowerTrench process that has been especially Fast switching speed tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDB024N04AL7 , FDB024N06 , FDB029N06 , FDB031N08 , FDB035AN06A0 , FDB035N10A , STU407D , FDB039N06 , IRFB4110 , FDB045AN08A0F085 , FDB047N10 , STU405DH , FDB050AN06A0 , FDB060AN08A0 , FDB070AN06A0 , FDB075N15A , FDB082N15A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.