Справочник MOSFET. SI4532ADY-T1

 

SI4532ADY-T1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4532ADY-T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для SI4532ADY-T1

 

 

SI4532ADY-T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:956K  cn vbsemi
 si4532ady-t1.pdf

SI4532ADY-T1 SI4532ADY-T1

SI4532ADY-T1www.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at

 5.1. Size:247K  vishay
 si4532ady.pdf

SI4532ADY-T1 SI4532ADY-T1

Si4532ADYVishay SiliconixN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.053 at VGS = 10 V 4.9 TrenchFET Power MOSFETsN-Channel 300.075 at VGS = 4.5 V 4.10.080 at VGS = - 10 V - 3.9P-Channel - 300.135 at VGS = - 4.5 V - 3.0S2D1SO-8S1 1 D18G2G1 2 D17

 8.1. Size:274K  fairchild semi
 si4532dy.pdf

SI4532ADY-T1 SI4532ADY-T1

September 1999Si4532DY*Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionFeaturesThese dual N- and P-Channel enhancement mode power N-Channel 3.9A, 30V.RDS(ON) = 0.065 @VGS = 10Vfield effect transistors are produced using Fairchild'spropretary, high cell density, DMOS technology. This very RDS(ON) = 0.095 @VGS = 4.5V.high density process

 8.2. Size:291K  vishay
 si4532cdy.pdf

SI4532ADY-T1 SI4532ADY-T1

Si4532CDYVishay SiliconixN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.047 at VGS = 10 V 6.0 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 30 2.750.065 at VGS = 4.5 V 5.2 100 % Rg Tested0.089 at VGS = - 10 V - 4.3 100 % UIS TestedP-Channel - 30 4.1 Compli

 8.3. Size:98K  vishay
 si4532dy.pdf

SI4532ADY-T1 SI4532ADY-T1

Si4532DYVishay SiliconixN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) RDS(ON) (W) ID (A)0.065 @ VGS = 10 V "3.9N-Channel 30N-Channel 300.095 @ VGS = 4.5 V "3.10.085 @ VGS = 10 V "3.5P-Channel 30P-Channel 300.19 @ VGS = 4.5 V "2.5D1 S2SO-8S1 1 D18G2G1 2 D17G1S2 3 D26G2 4 D25Top ViewS1 D2N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

 8.4. Size:290K  vishay
 si4532cd.pdf

SI4532ADY-T1 SI4532ADY-T1

Si4532CDYVishay SiliconixN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.047 at VGS = 10 V 6.0 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 30 2.750.065 at VGS = 4.5 V 5.2 100 % Rg Tested0.089 at VGS = - 10 V - 4.3 100 % UIS TestedP-Channel - 30 4.1 Compli

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top