Справочник MOSFET. SI4840DY-T1-E3

 

SI4840DY-T1-E3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4840DY-T1-E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для SI4840DY-T1-E3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4840DY-T1-E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:859K  cn vbsemi
 si4840dy-t1-e3.pdf pdf_icon

SI4840DY-T1-E3

SI4840DY-T1-E3www.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.012 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1240 15 nC 100 % Rg Tested0.012 at VGS = 4.5 V 9 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchron

 6.1. Size:244K  vishay
 si4840dy.pdf pdf_icon

SI4840DY-T1-E3

Si4840DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.009 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET400.012 at VGS = 4.5 V 12 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8DS D1 82 7S DS 3 6 DG4 5G DTop ViewSOrder

 8.1. Size:238K  vishay
 si4840bdy.pdf pdf_icon

SI4840DY-T1-E3

Si4840BDYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.009 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1940 15 nC 100 % Rg Tested0.012 at VGS = 4.5 V 16 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronou

 8.2. Size:235K  vishay
 si4840bd.pdf pdf_icon

SI4840DY-T1-E3

Si4840BDYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.009 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1940 15 nC 100 % Rg Tested0.012 at VGS = 4.5 V 16 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronou

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4416DY , SI4421DY-T1 , SI4431CDY-T1-E3 , SI4435BDY , SI4435DY-T1-E3 , SI4466DY-T1 , SI4532ADY-T1 , SI4539DY-T1 , 4435 , SI4890BDY-T1 , SI4920DY-T1 , SI4944DY , SI4947DY , SI4948BEY-T1-E3 , SI4953ADY-T1-E3 , SI4953DY-T1-E3 , SI6423DQ-T1 .

History: SI4N60-TM3-T | SMG2310N | SWJ6N80D | HCD80R1K2 | XP151A13A0MR | PTS2017 | IPI100N08S2-07

 

 
Back to Top

 


 
.