Справочник MOSFET. SPD09N05

 

SPD09N05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPD09N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.073(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD09N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:891K  cn vbsemi
 spd09n05.pdf pdf_icon

SPD09N05

SPD09N05www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization:60 19.8For definitions of compliance please see0.085 at VGS = 4.5 V 13.2TO-252APPLICATIONSD DC/DC Converters DC/AC Inverters

 9.1. Size:576K  infineon
 spd09p06pl.pdf pdf_icon

SPD09N05

SPD09P06PL GSIPMOS=Power-Transistor===Product SummaryFeatureVDS-60 V P-Channel P-channelRDS(on) 0.25 Enhancement mode Enhancement modeID -9.7 A Logic Level Logic Level prueb 175C operating temperaturePG-TO252-3 175C operating temperature Avalanche rated Avalanche rated dv/dt rated dv/dt rated Pb-free lead

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AO4803A | STP5NK60Z

 

 
Back to Top

 


 
.