Справочник MOSFET. SPD09N05

 

SPD09N05 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPD09N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41.7 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16.9 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 19.8 nC
   Время нарастания (tr): 11 ns
   Выходная емкость (Cd): 85 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.073(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SPD09N05

 

 

SPD09N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:891K  cn vbsemi
 spd09n05.pdf

SPD09N05 SPD09N05

SPD09N05www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization:60 19.8For definitions of compliance please see0.085 at VGS = 4.5 V 13.2TO-252APPLICATIONSD DC/DC Converters DC/AC Inverters

 9.1. Size:576K  infineon
 spd09p06pl.pdf

SPD09N05 SPD09N05

SPD09P06PL GSIPMOS=Power-Transistor===Product SummaryFeatureVDS-60 V P-Channel P-channelRDS(on) 0.25 Enhancement mode Enhancement modeID -9.7 A Logic Level Logic Level prueb 175C operating temperaturePG-TO252-3 175C operating temperature Avalanche rated Avalanche rated dv/dt rated dv/dt rated Pb-free lead

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top