Справочник MOSFET. SPN4436S8R

 

SPN4436S8R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPN4436S8R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.030(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для SPN4436S8R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN4436S8R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1422K  cn vbsemi
 spn4436s8r.pdf pdf_icon

SPN4436S8R

SPN4436S8Rwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.025 at VGS = 10 V 7.660 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous0.030 at VGS = 4.5 V 6.5Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD CCFL

 9.1. Size:1433K  cn vbsemi
 spn4412ws8rg.pdf pdf_icon

SPN4436S8R

SPN4412WS8RGwww.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

Другие MOSFET... SM4953KC , SP8K1TB , SP8M3-TB , SPD09N05 , SPN2054T252RG , SPN2302S23R , SPN3414S23RGB , SPN4412WS8RG , RU6888R , SPN6561S26RGB , SPP3414S23RG , SPP6506S26R , SPP6507S26RGB , SPP80N03S2L , SQ9407EY-T1 , SSC8022GS6 , SSM2307G .

History: WM10N02M | NCEP40P80D

 

 
Back to Top

 


 
.