Справочник MOSFET. STD10NF06

 

STD10NF06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STD10NF06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41.7 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16.9 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 19.8 nC
   Время нарастания (tr): 11 ns
   Выходная емкость (Cd): 85 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.073(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для STD10NF06

 

 

STD10NF06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1487K  cn vbsemi
 std10nf06.pdf

STD10NF06 STD10NF06

STD10NF06www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization:60 19.8For definitions of compliance please see0.085 at VGS = 4.5 V 13.2TO-252APPLICATIONSD DC/DC Converters DC/AC Inverters

 0.1. Size:302K  st
 std10nf06l.pdf

STD10NF06 STD10NF06

STD10NF06LN-CHANNEL 60V - 0.1 - 10A DPAKSTripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTD10NF06L 60V

 7.1. Size:868K  st
 std10nf30.pdf

STD10NF06 STD10NF06

STD10NF30Automotive-grade N-channel 300 V, 10 A, 0.28 typ., MESH OVERLAY Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max. IDSTD10NF30 300 V 0.33 10 A TAB Designed for automotive applications and 3AEC-Q101 qualified1 Gate charge minimizedDPAK Very low intrinsic capacitancesApplications Switching appli

 7.2. Size:457K  st
 std10nf10-1 std10nf10t4 std10nf10.pdf

STD10NF06 STD10NF06

STD10NF10STD10NF10-1N-channel 100V - 0.115 - 13A - DPAK - IPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD10NF10 100V

 7.3. Size:849K  st
 std10nf10t4.pdf

STD10NF06 STD10NF06

STD10NF10T4 N-channel 100 V, 0.115 typ., 13 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTD10NF10T4 100 V 0.130 13 A Exceptional dv/dt capability Application oriented characterization Applications Switching applications Figure 1: Internal schematic diagram Description D(2, TAB

 7.4. Size:905K  cn vbsemi
 std10nf10t4.pdf

STD10NF06 STD10NF06

STD10NF10T4www.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature1000.11 4 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top