SUD08P06-155 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SUD08P06-155
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061(typ) Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SUD08P06-155 Datasheet (PDF)
sud08p06-155.pdf

SUD08P06-155www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter
sud08p06-155l-ge3.pdf

SUD08P06-155L-GE3www.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESDPAK (TO-252)DPAK ( TrenchFET power MOSFETs Material categorization:Drain connected to tabfor definitions of compliance pleasesee www.vishay.com/doc?99912SSDGGTop ViewPRODUCT SUMMARYVDS (V) -60RDS(on) max. () at VGS = -10 V 0.155DRDS(on) max. () at VGS =
sud08p06-155l.pdf

New ProductSUD08P06-155LVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Rated Maximum Junction TemperatureRoHS0.155 at VGS = - 10 V - 8.4- 60 12.5 COMPLIANT0.280 at VGS = - 4.5 V - 7.4STO-252GDrain Connected to TabG D STop ViewDOrdering Information:
sud08p06-155l-e3.pdf

SUD08P06-155L-E3www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParame
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: APQ12SN60AH | AM40N08-30D | STP5NB40 | TMPF8N80 | BFC48 | FDS8447 | 2SK3532
History: APQ12SN60AH | AM40N08-30D | STP5NB40 | TMPF8N80 | BFC48 | FDS8447 | 2SK3532



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet