Справочник MOSFET. SUD08P06-155

 

SUD08P06-155 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUD08P06-155
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 120 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.061(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SUD08P06-155

 

 

SUD08P06-155 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1423K  cn vbsemi
sud08p06-155.pdf

SUD08P06-155 SUD08P06-155

SUD08P06-155www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter

 0.1. Size:169K  vishay
sud08p06-155l-ge3.pdf

SUD08P06-155 SUD08P06-155

SUD08P06-155L-GE3www.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESDPAK (TO-252)DPAK ( TrenchFET power MOSFETs Material categorization:Drain connected to tabfor definitions of compliance pleasesee www.vishay.com/doc?99912SSDGGTop ViewPRODUCT SUMMARYVDS (V) -60RDS(on) max. () at VGS = -10 V 0.155DRDS(on) max. () at VGS =

 0.2. Size:79K  vishay
sud08p06-155l.pdf

SUD08P06-155 SUD08P06-155

New ProductSUD08P06-155LVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Rated Maximum Junction TemperatureRoHS0.155 at VGS = - 10 V - 8.4- 60 12.5 COMPLIANT0.280 at VGS = - 4.5 V - 7.4STO-252GDrain Connected to TabG D STop ViewDOrdering Information:

 0.3. Size:829K  cn vbsemi
sud08p06-155l-e3.pdf

SUD08P06-155 SUD08P06-155

SUD08P06-155L-E3www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParame

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top