UT6898G-S08-R - описание и поиск аналогов

 

UT6898G-S08-R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT6898G-S08-R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для UT6898G-S08-R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT6898G-S08-R даташит

 ..1. Size:754K  cn vbsemi
 ut6898g-s08-r.pdf pdf_icon

UT6898G-S08-R

UT6898G-S08-R www.VBsemi.tw Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.009 at VGS = 4.5 V 10 TrenchFET Power MOSFET 20 15 nC 100 % UIS Tested 0.012 at VGS = 2.5 V 8.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box

 8.1. Size:194K  utc
 ut6898.pdf pdf_icon

UT6898G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT6898 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT DESCRIPTION The UT6898 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Другие MOSFET... TN0200TS , TP0101TS-T1 , TPCA8036 , UT100N03L , UT2301G-AE3-R , UT2302G-AE3 , UT2302L-AE3 , UT2955G , IRFZ44 , UT8205AG-AG6 , UTT25P10L , UTT80N10 , VB1102M , VB1106K , VB1218X , VB1240B , VB1240X .

History: FIR4N65F | 2SK1154

 

 

 

 

↑ Back to Top
.