UT6898G-S08-R - аналоги и даташиты транзистора

 

UT6898G-S08-R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: UT6898G-S08-R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для UT6898G-S08-R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT6898G-S08-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:754K  cn vbsemi
 ut6898g-s08-r.pdf pdf_icon

UT6898G-S08-R

UT6898G-S08-Rwww.VBsemi.twDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.009 at VGS = 4.5 V 10 TrenchFET Power MOSFET20 15 nC 100 % UIS Tested0.012 at VGS = 2.5 V 8.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

 8.1. Size:194K  utc
 ut6898.pdf pdf_icon

UT6898G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT6898 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT DESCRIPTION The UT6898 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Другие MOSFET... TN0200TS , TP0101TS-T1 , TPCA8036 , UT100N03L , UT2301G-AE3-R , UT2302G-AE3 , UT2302L-AE3 , UT2955G , IRFZ44 , UT8205AG-AG6 , UTT25P10L , UTT80N10 , VB1102M , VB1106K , VB1218X , VB1240B , VB1240X .

History: NT2955G | TPN11006NL | 2SK1671 | AP4426GM | S10H16RN | STD2NK90Z-1 | VB1240B

 

 
Back to Top

 


 
.