VB1106K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VB1106K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.37 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.26 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8(typ) Ohm
Тип корпуса: SOT23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
VB1106K Datasheet (PDF)
vb1106k.pdf

VB1106Kwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition100 2.8 at VGS = 10 V Low Threshold: 2 V (typ.)260 Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 ns Low Input and Output Leakage TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/
nvb110n65s3f.pdf

MOSFET Power, SingleN-Channel, D2PAK650 V, 110 mW, 30 ANVB110N65S3FDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology is tailored to minimizeV(BR)DSS RDS(ON) MAX
vb1101m.pdf

VB1101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.100 at VGS = 10 V 4.3 Material categorization:0.140 at VGS = 6 V 100 4.1 2.9 nC0.150 at VGS = 4.5 V 3.7APPLICATIONS DC/DC Converters Load Switch LED Backlight
vb1102m.pdf

VB1102Mwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.240 at VGS = 10 V 2.0 Material categorization:0.250 at VGS = 6 V 100 1.8 2.9 nC0.260 at VGS = 4.5 V 1.7APPLICATIONS DC/DC Converters Load Switch LED Backlight
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: RJK0331DPB-00 | SIHG47N60S | HCS70R600ST | HGI110N08AL | STL12P6F6 | APT8024B2LL | 9N95
History: RJK0331DPB-00 | SIHG47N60S | HCS70R600ST | HGI110N08AL | STL12P6F6 | APT8024B2LL | 9N95



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998