Справочник MOSFET. VB1106K

 

VB1106K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VB1106K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для VB1106K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB1106K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  cn vbsemi
vb1106k.pdfpdf_icon

VB1106K

VB1106Kwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition100 2.8 at VGS = 10 V Low Threshold: 2 V (typ.)260 Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 ns Low Input and Output Leakage TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/

 9.1. Size:235K  onsemi
nvb110n65s3f.pdfpdf_icon

VB1106K

MOSFET Power, SingleN-Channel, D2PAK650 V, 110 mW, 30 ANVB110N65S3FDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology is tailored to minimizeV(BR)DSS RDS(ON) MAX

 9.2. Size:512K  cn vbsemi
vb1101m.pdfpdf_icon

VB1106K

VB1101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.100 at VGS = 10 V 4.3 Material categorization:0.140 at VGS = 6 V 100 4.1 2.9 nC0.150 at VGS = 4.5 V 3.7APPLICATIONS DC/DC Converters Load Switch LED Backlight

 9.3. Size:673K  cn vbsemi
vb1102m.pdfpdf_icon

VB1106K

VB1102Mwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.240 at VGS = 10 V 2.0 Material categorization:0.250 at VGS = 6 V 100 1.8 2.9 nC0.260 at VGS = 4.5 V 1.7APPLICATIONS DC/DC Converters Load Switch LED Backlight

Другие MOSFET... UT2302G-AE3 , UT2302L-AE3 , UT2955G , UT6898G-S08-R , UT8205AG-AG6 , UTT25P10L , UTT80N10 , VB1102M , IRF630 , VB1218X , VB1240B , VB1240X , VB1330X , VB162KX , VB2140 , VB2290A , VB2658 .

History: NCE70T180F

 

 
Back to Top

 


 
.