VBA4658 - описание и поиск аналогов

 

VBA4658. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBA4658

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для VBA4658

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA4658 даташит

 ..1. Size:490K  cn vbsemi
 vba4658.pdf pdf_icon

VBA4658

VBA4658 www.VBsemi.com Dual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS Tested RoHS - 60 17 nC COMPLIANT 0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top Vi

 9.1. Size:768K  cn vbsemi
 vba4670.pdf pdf_icon

VBA4658

VBA4670 www.VBsemi.com Dual P-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A) d Qg (TYP.) Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition 0.066 at VGS = -10 V -5.0 -60 10.1 nC TrenchFET Power MOSFET 0.070 at VGS = -4.5 V -4.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D

Другие MOSFET... VBA3316G , VBA3328 , VBA3410 , VBA3695 , VBA4216 , VBA4311 , VBA4317 , VBA4338 , IRFP450 , VBA4670 , VBA5102M , VBA5325 , VBA5415 , TSA100N20M , TSA18N50MR , TSA20N60MR , TSA20N65MR .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.