Справочник MOSFET. VBA4658

 

VBA4658 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBA4658
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 32 nC
   Время нарастания (tr): 8 ns
   Выходная емкость (Cd): 210 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.054(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для VBA4658

 

 

VBA4658 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:490K  cn vbsemi
 vba4658.pdf

VBA4658 VBA4658

VBA4658www.VBsemi.comDual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS TestedRoHS- 60 17 nCCOMPLIANT0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top Vi

 9.1. Size:768K  cn vbsemi
 vba4670.pdf

VBA4658 VBA4658

VBA4670www.VBsemi.comDual P-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A) d Qg (TYP.) Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition0.066 at VGS = -10 V -5.0-60 10.1 nC TrenchFET Power MOSFET 0.070 at VGS = -4.5 V -4.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top