Справочник MOSFET. VBA5102M

 

VBA5102M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBA5102M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.240(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для VBA5102M

 

 

VBA5102M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:837K  cn vbsemi
 vba5102m.pdf

VBA5102M VBA5102M

VBA5102Mwww.VBsemi.comN- and P-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.240 at VGS = 10 V 2.2N-Channel 100 122.10.260 at VGS = 4.5 V APPLICATIONS0.490 at VGS = -10 V -1.9P-Channel -100 21 H bridge / DC-AC inverter0.530 at VGS = -4.5 V -1.6- Brushless

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top