VBA5102M - описание и поиск аналогов

 

VBA5102M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBA5102M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.240 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для VBA5102M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA5102M даташит

 ..1. Size:837K  cn vbsemi
 vba5102m.pdf pdf_icon

VBA5102M

VBA5102M www.VBsemi.com N- and P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.240 at VGS = 10 V 2.2 N-Channel 100 12 2.1 0.260 at VGS = 4.5 V APPLICATIONS 0.490 at VGS = -10 V -1.9 P-Channel -100 21 H bridge / DC-AC inverter 0.530 at VGS = -4.5 V -1.6 - Brushless

Другие MOSFET... VBA3410 , VBA3695 , VBA4216 , VBA4311 , VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , AO4407 , VBA5325 , VBA5415 , TSA100N20M , TSA18N50MR , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M .

History: FK3506010L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.