Справочник MOSFET. VBA5102M

 

VBA5102M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBA5102M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.240(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBA5102M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA5102M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:837K  cn vbsemi
 vba5102m.pdf pdf_icon

VBA5102M

VBA5102Mwww.VBsemi.comN- and P-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.240 at VGS = 10 V 2.2N-Channel 100 122.10.260 at VGS = 4.5 V APPLICATIONS0.490 at VGS = -10 V -1.9P-Channel -100 21 H bridge / DC-AC inverter0.530 at VGS = -4.5 V -1.6- Brushless

Другие MOSFET... VBA3410 , VBA3695 , VBA4216 , VBA4311 , VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , P60NF06 , VBA5325 , VBA5415 , TSA100N20M , TSA18N50MR , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M .

History: 2SK3275-01L | STF6N80K5 | HGB120N10A | PMCM6501UPE | TPCP8403 | P1604ETF | ZXMP10A16KTC

 

 
Back to Top

 


 
.