TSD840MD - описание и поиск аналогов

 

TSD840MD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSD840MD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TSD840MD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSD840MD даташит

 ..1. Size:2699K  truesemi
 tsd840md.pdf pdf_icon

TSD840MD

TSD840MD 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 8.0A,500V,Max.RDS(on)=0.95 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche tested minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and withsta

Другие MOSFET... TSA82N30M , TSD16N25M , TSD18N20M , TSD5N50MR , TSD5N60M , TSU5N60M , TSD5N65M , TSU5N65M , AO3400A , TSF10N80M , TSF16N50MR , TSF16N60MR , TSF16N65MR , TSF18N20M , TSF18N50MR , TSF18N60MR , TSF20N50M .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.