TSD840MD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TSD840MD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 26 nC
Время нарастания (tr): 62 ns
Выходная емкость (Cd): 210 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.95 Ohm
Тип корпуса: TO252
TSD840MD Datasheet (PDF)
..1. Size:2699K truesemi
tsd840md.pdf
tsd840md.pdf
TSD840MD500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 8.0A,500V,Max.RDS(on)=0.95 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche testedminimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withsta
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
