TSF10N80M - описание и поиск аналогов

 

TSF10N80M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSF10N80M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для TSF10N80M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSF10N80M даташит

 ..1. Size:692K  truesemi
 tsf10n80m.pdf pdf_icon

TSF10N80M

TSF10N80M 800V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 10.0A,800V,Max.RDS(on)=1.10 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 45nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance,

 8.1. Size:1254K  truesemi
 tsp10n65m tsf10n65m.pdf pdf_icon

TSF10N80M

TSP10N65M/TSF10N65M 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 10.0A,650V,Max.RDS(on)=1.0 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 48nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, a

 8.2. Size:1124K  truesemi
 tsp10n60m tsf10n60m.pdf pdf_icon

TSF10N80M

TSP10N60M/TSF10N60M 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 10.0A,600V,Max.RDS(on)=0.8 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 48nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance,

Другие MOSFET... TSD16N25M , TSD18N20M , TSD5N50MR , TSD5N60M , TSU5N60M , TSD5N65M , TSU5N65M , TSD840MD , IRFB31N20D , TSF16N50MR , TSF16N60MR , TSF16N65MR , TSF18N20M , TSF18N50MR , TSF18N60MR , TSF20N50M , TSF20N60MR .

History: AO6801

 

 

 

 

↑ Back to Top
.