Справочник MOSFET. TSA65R190S2

 

TSA65R190S2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSA65R190S2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для TSA65R190S2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSA65R190S2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1912K  truesemi
 tsf65r190s2 tsp65r190s2 tsa65r190s2 tsk65r190s2.pdf pdf_icon

TSA65R190S2

May, 2018SJ-FETTSF65R190S2/TSP65R190S2/TSA65R190S2/TSK65R190S2650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding 700V @TJ = 150 low on-resistance and lower gate charge performance. Typ. RDS(on) = 0.16T

Другие MOSFET... TSF20N50M , TSF20N60MR , TSF20N65MR , TSF4N90M , TSF60R190S2 , TSP60R190S2 , TSF65R190S2 , TSP65R190S2 , HY1906P , TSK65R190S2 , TSF65R360S2 , TSF840MD , TSF840MR , TSF9N90M , TSK80R240S1 , TSK82N25M , TSP10N60M .

History: HFB1N60F | IRF8010S | FCH072N60FF085

 

 
Back to Top

 


 
.