Справочник MOSFET. TSK82N25M

 

TSK82N25M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSK82N25M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 550 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 783 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для TSK82N25M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSK82N25M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:942K  truesemi
 tsk82n25m.pdf pdf_icon

TSK82N25M

TSK82N25M 250V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 82A,250V,Max.RDS(on)=35m@ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand

Другие MOSFET... TSP65R190S2 , TSA65R190S2 , TSK65R190S2 , TSF65R360S2 , TSF840MD , TSF840MR , TSF9N90M , TSK80R240S1 , IRF3205 , TSP10N60M , TSF10N60M , TSP10N65M , TSF10N65M , TSP12N60M , TSF12N60M , TSP12N65M , TSF12N65M .

History: AFN7106S | AP4N1R1CDT-A | 3401A | QM3014N3 | APT18F60B

 

 
Back to Top

 


 
.