TSK82N25M - описание и поиск аналогов

 

TSK82N25M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSK82N25M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 550 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 783 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для TSK82N25M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSK82N25M даташит

 ..1. Size:942K  truesemi
 tsk82n25m.pdf pdf_icon

TSK82N25M

TSK82N25M 250V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 82A,250V,Max.RDS(on)=35m @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and withstand

Другие MOSFET... TSP65R190S2 , TSA65R190S2 , TSK65R190S2 , TSF65R360S2 , TSF840MD , TSF840MR , TSF9N90M , TSK80R240S1 , IRF3205 , TSP10N60M , TSF10N60M , TSP10N65M , TSF10N65M , TSP12N60M , TSF12N60M , TSP12N65M , TSF12N65M .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.