Справочник MOSFET. TSK82N25M

 

TSK82N25M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSK82N25M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 550 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 783 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TSK82N25M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:942K  truesemi
 tsk82n25m.pdf pdf_icon

TSK82N25M

TSK82N25M 250V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 82A,250V,Max.RDS(on)=35m@ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: TK6Q60W | BF964S | SSW65R027SFD3 | BSC032N03SG | AO4840E | IRFS7430-7PPBF | SI4953DY-T1-E3

 

 
Back to Top

 


 
.