TSF12N65M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TSF12N65M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 54 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 90 ns
Выходная емкость (Cd): 180 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO220F
TSF12N65M Datasheet (PDF)
tsp12n65m tsf12n65m.pdf
TSP12N65M/TSF12N65M650V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 12A,650V,Max.RDS(on)=0.75 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 52nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, a
tsp12n60m tsf12n60m.pdf
TSP12N60M/TSF12N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 12A,600V,Max.RDS(on)=0.7 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 52nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, an
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
