Справочник MOSFET. YJD60N02A

 

YJD60N02A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YJD60N02A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для YJD60N02A

 

 

YJD60N02A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:639K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd60n02a.pdf

YJD60N02A YJD60N02A

RoHS COMPLIANT YJD60N02A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 60A D R ( at V =4.5V) 6.0mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 8.8mohm DS(ON) GS R ( at V =1.8V) 14mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package f

 7.1. Size:620K  cn yangzhou yangjie elec
 yjd60n04a.pdf

YJD60N02A YJD60N02A

RoHS COMPLIANT YJD60N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 40V DS I 60A D R ( at V =10V) 7.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 9.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cel

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 

Back to Top