YJG15GP10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: YJG15GP10A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 20.1 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 119 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
Аналог (замена) для YJG15GP10A
YJG15GP10A Datasheet (PDF)
yjg15gp10a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RoHS COMPLIANT YJG15GP10A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -100V DS I -15A D R ( at V =-10V) 90 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 110 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split gate trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High dens
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
![YJG15GP10A](https://alltransistors.com/images/us.png)
![YJG15GP10A](https://alltransistors.com/images/es.png)
![YJG15GP10A](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C