YJG15GP10A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJG15GP10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для YJG15GP10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJG15GP10A даташит

 ..1. Size:1044K  cn yangzhou yangjie elec
 yjg15gp10a.pdf pdf_icon

YJG15GP10A

RoHS COMPLIANT YJG15GP10A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -100V DS I -15A D R ( at V =-10V) 90 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 110 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split gate trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High dens

Другие IGBT... YJD45P03A, YJD50N03A, YJD60N02A, YJD60N04A, YJD65G10A, YJD80N03A, YJD80N03B, YJD90N02A, AON7410, YJG30N06A, YJG40G10A, YJG50N03A, YJG70G06A, YJG80G06B, YJG85G06AK, YJG90G10A, YJJ09N03A