Справочник MOSFET. YJG15GP10A

 

YJG15GP10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJG15GP10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для YJG15GP10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJG15GP10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1044K  cn yangzhou yangjie elec
 yjg15gp10a.pdf pdf_icon

YJG15GP10A

RoHS COMPLIANT YJG15GP10A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -100V DS I -15A D R ( at V =-10V) 90 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 110 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split gate trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High dens

Другие MOSFET... YJD45P03A , YJD50N03A , YJD60N02A , YJD60N04A , YJD65G10A , YJD80N03A , YJD80N03B , YJD90N02A , RFP50N06 , YJG30N06A , YJG40G10A , YJG50N03A , YJG70G06A , YJG80G06B , YJG85G06AK , YJG90G10A , YJJ09N03A .

History: DMN5L06-7 | ELM13414CA | AP65WN470I | 2SK3199 | CS7N65CP

 

 
Back to Top

 


 
.