Справочник MOSFET. YJG90G10A

 

YJG90G10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJG90G10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1658 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для YJG90G10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJG90G10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1141K  cn yangzhou yangjie elec
 yjg90g10a.pdf pdf_icon

YJG90G10A

RoHS COMPLIANT YJG90G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 90A D R ( at V =10V) 5.0mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 7.1mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split gate trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density ce

Другие MOSFET... YJD90N02A , YJG15GP10A , YJG30N06A , YJG40G10A , YJG50N03A , YJG70G06A , YJG80G06B , YJG85G06AK , IRLB4132 , YJJ09N03A , YJL02N10A , YJL03G10A , YJL03N06A , YJL05N06AL , YJL07P03AL , YJL2101W , YJL2102W .

History: 19N10G-TQ2-R | AM4434N | LSD60R099HT | AOD66923 | BSC082N10LSG | APT30M30JFLL | 2N6896

 

 
Back to Top

 


 
.