YJG90G10A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJG90G10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1658 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для YJG90G10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJG90G10A даташит

 ..1. Size:1141K  cn yangzhou yangjie elec
 yjg90g10a.pdf pdf_icon

YJG90G10A

RoHS COMPLIANT YJG90G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 90A D R ( at V =10V) 5.0mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 7.1mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split gate trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density ce

Другие IGBT... YJD90N02A, YJG15GP10A, YJG30N06A, YJG40G10A, YJG50N03A, YJG70G06A, YJG80G06B, YJG85G06AK, CS150N03A8, YJJ09N03A, YJL02N10A, YJL03G10A, YJL03N06A, YJL05N06AL, YJL07P03AL, YJL2101W, YJL2102W