Справочник MOSFET. YJL03N06A

 

YJL03N06A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJL03N06A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для YJL03N06A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJL03N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:583K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl03n06a.pdf pdf_icon

YJL03N06A

RoHS COMPLIANT YJL03N06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 3.0A D R ( at V =10V) 100 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 120 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON)Applications

 9.1. Size:732K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl03g10a.pdf pdf_icon

YJL03N06A

RoHS COMPLIANT YJL03G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 3.0A D R ( at V =10V) 140 mohm DS(ON) GSGeneral Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity Fast switching and soft recovery Applications Consumer electronic power supply

Другие MOSFET... YJG50N03A , YJG70G06A , YJG80G06B , YJG85G06AK , YJG90G10A , YJJ09N03A , YJL02N10A , YJL03G10A , IRF1407 , YJL05N06AL , YJL07P03AL , YJL2101W , YJL2102W , YJL2300A , YJL2301C , YJL2301D , YJL2301F .

History: SH8J65 | 2SK614 | 2SK1437 | APL602LG | BUK6D120-60P | TPCA8104 | 2SJ132-Z

 

 
Back to Top

 


 
.