YJL03N06A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJL03N06A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для YJL03N06A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJL03N06A даташит

 ..1. Size:583K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl03n06a.pdf pdf_icon

YJL03N06A

 9.1. Size:732K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl03g10a.pdf pdf_icon

YJL03N06A

RoHS COMPLIANT YJL03G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 3.0A D R ( at V =10V) 140 mohm DS(ON) GS General Description Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity Fast switching and soft recovery Applications Consumer electronic power supply

Другие IGBT... YJG50N03A, YJG70G06A, YJG80G06B, YJG85G06AK, YJG90G10A, YJJ09N03A, YJL02N10A, YJL03G10A, IRFP450, YJL05N06AL, YJL07P03AL, YJL2101W, YJL2102W, YJL2300A, YJL2301C, YJL2301D, YJL2301F