FDB2532F085 - описание и поиск аналогов

 

FDB2532F085. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDB2532F085

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO263 D2PAK

Аналог (замена) для FDB2532F085

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB2532F085 даташит

 7.1. Size:205K  fairchild semi
fdb2532 f085.pdfpdf_icon

FDB2532F085

September 2010 FDB2532_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 79A, 16m Features Applications rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 33A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 82nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Synchronous Rec

 7.2. Size:275K  fairchild semi
fdb2532 fdp2532 fdi2532.pdfpdf_icon

FDB2532F085

August 2002 FDB2532 / FDP2532 / FDI2532 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 79A, 16m Features Applications rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 33A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 82nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage S

 7.3. Size:1144K  onsemi
fdp2532 fdb2532.pdfpdf_icon

FDB2532F085

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 7.4. Size:1142K  onsemi
fdb2532-f085.pdfpdf_icon

FDB2532F085

MOSFET N-Channel, POWERTRENCH) 150 V, 79 A, 16 mW FDB2532-F085 Features www.onsemi.com RDS(ON) = 14 mW (Typ.), VGS = 10 V, ID = 33 A Qg (tot) = 82 nC (Typ.), VGS = 10 V D Low Miller Charge Low QRR Body Diode UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) G AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant S A

Другие MOSFET... FDB12N50U , FDB13AN06A0 , FDB14AN06LA0F085 , FDB14N30 , FDB150N10 , STU408D , FDB15N50 , FDB2532 , AO3401 , FDB2552 , FDB2572 , FDB2614 , STU409DH , FDB2710 , FDB28N30TM , FDB33N25 , FDB3502 .

History: IXFK50N50

 

 

 

 

↑ Back to Top
.