YJL3134K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJL3134K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для YJL3134K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJL3134K даташит

 ..1. Size:423K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3134k.pdf pdf_icon

YJL3134K

RoHS COMPLIANT YJL3134K N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 0.9A D R ( at V =4.5V) 250 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 350 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.0KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications Interf

 0.1. Size:844K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3134kw.pdf pdf_icon

YJL3134K

RoHS COMPLIANT YJL3134KW N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20 V DS I 0.75 A D R ( at V =4.5V) 260 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 360 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.0KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications PW

 8.1. Size:837K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3139kt.pdf pdf_icon

YJL3134K

RoHS COMPLIANT YJL3139KT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -0.65A D R ( at V =-4.5V) 520 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 750 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.5KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Design for Low R DS(ON) High Speed swi

 8.2. Size:850K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3139kdw.pdf pdf_icon

YJL3134K

RoHS COMPLIANT YJL3139KDW P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -0.65A D R ( at V =-4.5V) 520 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 750 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.5KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Design for Low R DS(ON) High Speed sw

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... YJL2302A, YJL2302B, YJL2303A, YJL2304A, YJL2305A, YJL2305B, YJL2312A, YJL2312AL, IRFZ24N, YJL3134KW, YJL3139KDW, YJL3139KT, YJL3400A, YJL3401A, YJL3404A, YJL3407A, YJL3415A