YJL3134K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: YJL3134K
Маркировка: 34K.
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1 nC
trⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: SOT23
YJL3134K Datasheet (PDF)
yjl3134k.pdf
RoHS COMPLIANT YJL3134K N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 0.9A D R ( at V =4.5V) 250 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 350 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.0KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications Interf
yjl3134kw.pdf
RoHS COMPLIANT YJL3134KW N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20 V DS I 0.75 A D R ( at V =4.5V) 260 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 360 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.0KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications PW
yjl3139kt.pdf
RoHS COMPLIANT YJL3139KT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -0.65A D R ( at V =-4.5V) 520 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 750 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.5KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Design for Low R DS(ON) High Speed swi
yjl3139kdw.pdf
RoHS COMPLIANT YJL3139KDW P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -0.65A D R ( at V =-4.5V) 520 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 750 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.5KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Design for Low R DS(ON) High Speed sw
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F