YJL3415A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJL3415A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 219 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для YJL3415A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJL3415A даташит

 ..1. Size:560K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3415a.pdf pdf_icon

YJL3415A

RoHS COMPLIANT YJL3415A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -5.6A D R ( at V =-4.5V) 42 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 100 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 2.0KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Des

 8.1. Size:634K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3416a.pdf pdf_icon

YJL3415A

RoHS COMPLIANT YJL3416A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 7.0A D R ( at V =4.5V) 18 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 22 mohm DS(ON) GS R ( at V =1.8V) 39 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 3.5KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current hand

 9.1. Size:642K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3401a.pdf pdf_icon

YJL3415A

RoHS COMPLIANT YJL3401A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -4.4A D R ( at V =-10V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 68 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 96 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed s

 9.2. Size:578K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3404a.pdf pdf_icon

YJL3415A

RoHS COMPLIANT YJL3404A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 5.6A D R ( at V =10V) 29 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 40 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery protection

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... YJL3134K, YJL3134KW, YJL3139KDW, YJL3139KT, YJL3400A, YJL3401A, YJL3404A, YJL3407A, IRF1405, YJL3416A, YJP150N06AQ, YJP200G06A, YJP70G10A, YJQ20N04A, YJQ30N03A, YJQ3400A, YJQ3415A