YJP150N06AQ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJP150N06AQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для YJP150N06AQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJP150N06AQ даташит

 ..1. Size:564K  cn yangzhou yangjie elec
 yjp150n06aq.pdf pdf_icon

YJP150N06AQ

RoHS COMPLIANT YJP150N06AQ N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 150A D R ( at V =10V) 5.5mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON) Applications

Другие IGBT... YJL3139KDW, YJL3139KT, YJL3400A, YJL3401A, YJL3404A, YJL3407A, YJL3415A, YJL3416A, IRFZ48N, YJP200G06A, YJP70G10A, YJQ20N04A, YJQ30N03A, YJQ3400A, YJQ3415A, YJQ35N04A, YJQ40G10A