YJP150N06AQ - аналоги и даташиты транзистора

 

YJP150N06AQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: YJP150N06AQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для YJP150N06AQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJP150N06AQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  cn yangzhou yangjie elec
 yjp150n06aq.pdf pdf_icon

YJP150N06AQ

RoHS COMPLIANT YJP150N06AQ N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 150A D R ( at V =10V) 5.5mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON)Applications

Другие MOSFET... YJL3139KDW , YJL3139KT , YJL3400A , YJL3401A , YJL3404A , YJL3407A , YJL3415A , YJL3416A , RU7088R , YJP200G06A , YJP70G10A , YJQ20N04A , YJQ30N03A , YJQ3400A , YJQ3415A , YJQ35N04A , YJQ40G10A .

History: BRCS150N10SBD | TSM2N7002KCX | CS6N120W

 

 
Back to Top

 


 
.