Справочник MOSFET. YJP200G06A

 

YJP200G06A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YJP200G06A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 260 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 200 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 93 nC
   Время нарастания (tr): 6.7 ns
   Выходная емкость (Cd): 1250 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для YJP200G06A

 

 

YJP200G06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1254K  cn yangzhou yangjie elec
yjp200g06a.pdf

YJP200G06A
YJP200G06A

RoHS COMPLIANT YJP200G06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 200A D R ( at V =10V) 2.9 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 3.6 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top