YJP200G06A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: YJP200G06A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 260 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 200 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 93 nC
Время нарастания (tr): 6.7 ns
Выходная емкость (Cd): 1250 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0029 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для YJP200G06A
YJP200G06A Datasheet (PDF)
..1. Size:1254K cn yangzhou yangjie elec
yjp200g06a.pdf
yjp200g06a.pdf
RoHS COMPLIANT YJP200G06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 200A D R ( at V =10V) 2.9 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 3.6 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
