Справочник MOSFET. YJP200G06A

 

YJP200G06A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJP200G06A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для YJP200G06A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJP200G06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1254K  cn yangzhou yangjie elec
 yjp200g06a.pdf pdf_icon

YJP200G06A

RoHS COMPLIANT YJP200G06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 200A D R ( at V =10V) 2.9 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 3.6 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split Gate Trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density

Другие MOSFET... YJL3139KT , YJL3400A , YJL3401A , YJL3404A , YJL3407A , YJL3415A , YJL3416A , YJP150N06AQ , STP65NF06 , YJP70G10A , YJQ20N04A , YJQ30N03A , YJQ3400A , YJQ3415A , YJQ35N04A , YJQ40G10A , YJQ40P03A .

History: IPD50R800CE | STB57N65M5

 

 
Back to Top

 


 
.