YJQ30N03A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: YJQ30N03A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: DFN3.3X3.3
Аналог (замена) для YJQ30N03A
YJQ30N03A Datasheet (PDF)
yjq30n03a.pdf

RoHS COMPLIANT YJQ30N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 30A D R ( at V =10V) 9 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 13 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell d
Другие MOSFET... YJL3404A , YJL3407A , YJL3415A , YJL3416A , YJP150N06AQ , YJP200G06A , YJP70G10A , YJQ20N04A , MMD60R360PRH , YJQ3400A , YJQ3415A , YJQ35N04A , YJQ40G10A , YJQ40P03A , YJQ4666B , YJQ55P02A , YJQ62G06A .
History: YJQ3400A | H5N2522LS | 2SK3880 | PSMN017-30EL | IPA60R125CP | VBZM150N03 | 2SK3070S
History: YJQ3400A | H5N2522LS | 2SK3880 | PSMN017-30EL | IPA60R125CP | VBZM150N03 | 2SK3070S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor