Справочник MOSFET. YJQ30N03A

 

YJQ30N03A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJQ30N03A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для YJQ30N03A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJQ30N03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1293K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq30n03a.pdf pdf_icon

YJQ30N03A

RoHS COMPLIANT YJQ30N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 30A D R ( at V =10V) 9 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 13 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell d

Другие MOSFET... YJL3404A , YJL3407A , YJL3415A , YJL3416A , YJP150N06AQ , YJP200G06A , YJP70G10A , YJQ20N04A , AON7403 , YJQ3400A , YJQ3415A , YJQ35N04A , YJQ40G10A , YJQ40P03A , YJQ4666B , YJQ55P02A , YJQ62G06A .

History: JCS12N65CEI | NTD24N06-001 | IRFSL31N20D

 

 
Back to Top

 


 
.