YJQ30N03A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJQ30N03A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

Аналог (замена) для YJQ30N03A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJQ30N03A даташит

 ..1. Size:1293K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq30n03a.pdf pdf_icon

YJQ30N03A

RoHS COMPLIANT YJQ30N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 30A D R ( at V =10V) 9 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 13 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell d

Другие IGBT... YJL3404A, YJL3407A, YJL3415A, YJL3416A, YJP150N06AQ, YJP200G06A, YJP70G10A, YJQ20N04A, IRF9640, YJQ3400A, YJQ3415A, YJQ35N04A, YJQ40G10A, YJQ40P03A, YJQ4666B, YJQ55P02A, YJQ62G06A