FDB2614 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDB2614
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 260 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 62 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 76 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.027 Ohm
Тип корпуса: TO263 D2PAK
FDB2614 Datasheet (PDF)
fdb2614.pdf
November 2006tmFDB2614200V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description DescriptionThis N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon- 62A, 200V, RDS(on) = 22.9m @VGS = 10 Vductors advanced PowerTrench process that has been espe- Fast switching speedcially tailored to minimize the on-state resistance and yet Low gate chargemaintain superior switching
fdb2614.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
fdb2670.pdf
SMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeProduct specificationProduct specificationKDB2670(FDB2670)Features TO-263Unit: mm19 A, 200 V. RDS(ON) =130 m @VGS =10V+0.24.57-0.2+0.11.27-0.1Low gate charge (27 nC typical)Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
