YJQ40P03A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJQ40P03A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 308 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

Аналог (замена) для YJQ40P03A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJQ40P03A даташит

 ..1. Size:684K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq40p03a.pdf pdf_icon

YJQ40P03A

RoHS COMPLIANT YJQ40P03A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -40A D R ( at V =-20V) 13mohm DS(ON) GS R ( at V =-10V) 15mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 25mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switc

 9.1. Size:1419K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq40g10a.pdf pdf_icon

YJQ40P03A

RoHS COMPLIANT YJQ40G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 40A D R ( at V =10V) 18.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 22.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split gate trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High densit

Другие IGBT... YJP200G06A, YJP70G10A, YJQ20N04A, YJQ30N03A, YJQ3400A, YJQ3415A, YJQ35N04A, YJQ40G10A, RU7088R, YJQ4666B, YJQ55P02A, YJQ62G06A, YJQD30P02A, YJS03N10A, YJS10N04A, YJS12G06D, YJS2022A