Справочник MOSFET. YJQ40P03A

 

YJQ40P03A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJQ40P03A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 308 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для YJQ40P03A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJQ40P03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:684K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq40p03a.pdf pdf_icon

YJQ40P03A

RoHS COMPLIANT YJQ40P03A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -40A D R ( at V =-20V) 13mohm DS(ON) GS R ( at V =-10V) 15mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 25mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switc

 9.1. Size:1419K  cn yangzhou yangjie elec
 yjq40g10a.pdf pdf_icon

YJQ40P03A

RoHS COMPLIANT YJQ40G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 40A D R ( at V =10V) 18.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 22.5 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Split gate trench MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High densit

Другие MOSFET... YJP200G06A , YJP70G10A , YJQ20N04A , YJQ30N03A , YJQ3400A , YJQ3415A , YJQ35N04A , YJQ40G10A , MMD60R360PRH , YJQ4666B , YJQ55P02A , YJQ62G06A , YJQD30P02A , YJS03N10A , YJS10N04A , YJS12G06D , YJS2022A .

History: FDFS6N754 | CEP84A4 | BSC123N08NS3G | 2SK2101-01MR | AM5931P | IRFP9133 | RHP030N03T100

 

 
Back to Top

 


 
.