YJS3404A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: YJS3404A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 28.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
YJS3404A Datasheet (PDF)
yjs3404a.pdf

RoHS COMPLIANT YJS3404A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 8.5A D R ( at V =10V) 21mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 35mohm DS(ON) GS 100% V Tested DSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON) High Speed switching SOP-8 Appl
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: FRK254R | AP20N15AGI-HF | NDT6N70 | MTD6N15T4 | RFP15N08L | IPD50R280CE | SL17N06DN1
History: FRK254R | AP20N15AGI-HF | NDT6N70 | MTD6N15T4 | RFP15N08L | IPD50R280CE | SL17N06DN1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583