YJS3404A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: YJS3404A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для YJS3404A
YJS3404A Datasheet (PDF)
yjs3404a.pdf
RoHS COMPLIANT YJS3404A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 8.5A D R ( at V =10V) 21mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 35mohm DS(ON) GS 100% V Tested DSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON) High Speed switching SOP-8 Appl
Другие MOSFET... YJQ62G06A , YJQD30P02A , YJS03N10A , YJS10N04A , YJS12G06D , YJS2022A , YJS2301A , YJS2308A , IRF840 , YJS4409A , YJS4606A , YJS8205A , CSD15380F3 , CSD17581Q5A , CSD17585F5 , CSD18543Q3A , CSD19538Q3A .
History: PSMN8R5-100ES | YJS2022A
History: PSMN8R5-100ES | YJS2022A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583


