Справочник MOSFET. TPS1120Y

 

TPS1120Y MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TPS1120Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.84 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.45 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: CHIP

 Аналог (замена) для TPS1120Y

 

 

TPS1120Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:373K  texas
tps1120 tps1120y.pdf

TPS1120Y
TPS1120Y

TPS1120, TPS1120YDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS080A MARCH 1994 REVISED AUGUST 1995D PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.18 at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3-V CompatibleD Requires No External VCC1SOURCE 1 8 1DRAIN1GATE 2 7 1DRAIND TTL and CMOS Compatible Inputs2SOURCE 3 6 2DRAIND VGS(th) = 1.5 V Max2GATE 4 5 2DRAIND ESD Protection Up to 2 kV perMIL

 9.1. Size:485K  texas
tps1100d tps1100pw.pdf

TPS1120Y
TPS1120Y

TPS1100, TPS1100YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D OR PW PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin

 9.2. Size:493K  texas
tps1101 tps1101y.pdf

TPS1120Y
TPS1120Y

TPS1101, TPS1101YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS079C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin TSSOP

 9.3. Size:710K  texas
tps1100 tps1100y.pdf

TPS1120Y
TPS1120Y

TPS1100, TPS1100YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D OR PW PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin

 9.4. Size:490K  texas
tps1101d tps1101pwr.pdf

TPS1120Y
TPS1120Y

TPS1101, TPS1101YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS079C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin TSSOP

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 

Back to Top