Справочник MOSFET. TPS1120Y

 

TPS1120Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPS1120Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.84 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: CHIP
 

 Аналог (замена) для TPS1120Y

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPS1120Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:373K  texas
 tps1120 tps1120y.pdf pdf_icon

TPS1120Y

TPS1120, TPS1120YDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS080A MARCH 1994 REVISED AUGUST 1995D PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.18 at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3-V CompatibleD Requires No External VCC1SOURCE 1 8 1DRAIN1GATE 2 7 1DRAIND TTL and CMOS Compatible Inputs2SOURCE 3 6 2DRAIND VGS(th) = 1.5 V Max2GATE 4 5 2DRAIND ESD Protection Up to 2 kV perMIL

 9.1. Size:485K  texas
 tps1100d tps1100pw.pdf pdf_icon

TPS1120Y

TPS1100, TPS1100YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D OR PW PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin

 9.2. Size:493K  texas
 tps1101 tps1101y.pdf pdf_icon

TPS1120Y

TPS1101, TPS1101YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS079C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin TSSOP

 9.3. Size:710K  texas
 tps1100 tps1100y.pdf pdf_icon

TPS1120Y

TPS1100, TPS1100YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D OR PW PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CSD87384M , CSD87588N , CSD88537ND , TPS1100 , TPS1100Y , TPS1101 , TPS1101Y , TPS1120 , STP75NF75 , TMA10N60H , TMA10N65H , TMP10N65H , TMA10N80H , TMA12N50H , TMA12N65H , TMP12N65H , TMA20N65H .

History: ISCPL322D | TK100A10N1 | WMO07N65C4 | 2SK1796 | SE10030A | HFW50N06 | STFI13NM60N

 

 
Back to Top

 


 
.