TPS1120Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPS1120Y

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.84 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 15 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: CHIP

Аналог (замена) для TPS1120Y

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPS1120Y даташит

 ..1. Size:373K  texas
 tps1120 tps1120y.pdf pdf_icon

TPS1120Y

TPS1120, TPS1120Y DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS080A MARCH 1994 REVISED AUGUST 1995 D PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.18 at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3-V Compatible D Requires No External VCC 1SOURCE 1 8 1DRAIN 1GATE 2 7 1DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs 2SOURCE 3 6 2DRAIN D VGS(th) = 1.5 V Max 2GATE 4 5 2DRAIN D ESD Protection Up to 2 kV per MIL

 9.1. Size:485K  texas
 tps1100d tps1100pw.pdf pdf_icon

TPS1120Y

TPS1100, TPS1100Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D OR PW PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin

 9.2. Size:493K  texas
 tps1101 tps1101y.pdf pdf_icon

TPS1120Y

TPS1101, TPS1101Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS079C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin TSSOP

 9.3. Size:710K  texas
 tps1100 tps1100y.pdf pdf_icon

TPS1120Y

TPS1100, TPS1100Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D OR PW PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CSD87384M, CSD87588N, CSD88537ND, TPS1100, TPS1100Y, TPS1101, TPS1101Y, TPS1120, 7N65, TMA10N60H, TMA10N65H, TMP10N65H, TMA10N80H, TMA12N50H, TMA12N65H, TMP12N65H, TMA20N65H