TMA20N65H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMA20N65H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 291 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для TMA20N65H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMA20N65H даташит

 ..1. Size:364K  cn wuxi unigroup
 tma20n65h tmp20n65h.pdf pdf_icon

TMA20N65H

TMA20N65H, TMP20N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA20N65H TO-220F A2

 0.1. Size:748K  cn wuxi unigroup
 tma20n65hg tmw20n65hg.pdf pdf_icon

TMA20N65H

TMA20N65HG,TMW20N65HG Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V N-Channel MOSFET Description 650V N-Channel MOSFET VDMOSFET is a double-diffusion device which the current flows is vertically, and is a voltage-controlled device. Under the control of the appropriate gate voltage, the semiconductor surface is inverted, forming a conductive channel and an appropriate amount of curre

Другие IGBT... TPS1120Y, TMA10N60H, TMA10N65H, TMP10N65H, TMA10N80H, TMA12N50H, TMA12N65H, TMP12N65H, IRF9540N, TMP20N65H, TMA20N65HG, TMW20N65HG, TMA2N60H, TMD2N60H, TMT2N60H, TMU2N60H, TMA4N60H