Справочник MOSFET. TMA20N65H

 

TMA20N65H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMA20N65H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 291 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для TMA20N65H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMA20N65H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  cn wuxi unigroup
 tma20n65h tmp20n65h.pdf pdf_icon

TMA20N65H

TMA20N65H, TMP20N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA20N65H TO-220F A2

 0.1. Size:748K  cn wuxi unigroup
 tma20n65hg tmw20n65hg.pdf pdf_icon

TMA20N65H

TMA20N65HG,TMW20N65HG Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V N-Channel MOSFET Description 650V N-Channel MOSFET VDMOSFET is a double-diffusion device which the current flows is vertically, and is a voltage-controlled device. Under the control of the appropriate gate voltage, the semiconductor surface is inverted, forming a conductive channel and an appropriate amount of curre

Другие MOSFET... TPS1120Y , TMA10N60H , TMA10N65H , TMP10N65H , TMA10N80H , TMA12N50H , TMA12N65H , TMP12N65H , IRF1010E , TMP20N65H , TMA20N65HG , TMW20N65HG , TMA2N60H , TMD2N60H , TMT2N60H , TMU2N60H , TMA4N60H .

History: SSD70N04-06D | WMQ25P04T1 | SWU10N70D

 

 
Back to Top

 


 
.