TMD2N60H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMD2N60H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TMD2N60H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMD2N60H даташит

 ..1. Size:640K  cn wuxi unigroup
 tma2n60h tmd2n60h tmt2n60h tmu2n60h.pdf pdf_icon

TMD2N60H

TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Info

 7.1. Size:474K  trinnotech
 tmd2n60z tmu2n60z.pdf pdf_icon

TMD2N60H

TMD2N60Z(G)/TMU2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

 7.2. Size:455K  trinnotech
 tmd2n60az tmu2n60az.pdf pdf_icon

TMD2N60H

TMD2N60AZ(G)/TMU2N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 8.1. Size:449K  trinnotech
 tmd2n65az tmu2n65az.pdf pdf_icon

TMD2N60H

TMD2N65AZ(G)/TMU2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TMA12N50H, TMA12N65H, TMP12N65H, TMA20N65H, TMP20N65H, TMA20N65HG, TMW20N65HG, TMA2N60H, IRFP260, TMT2N60H, TMU2N60H, TMA4N60H, TMU4N60H, TMD4N60H, TMP4N60H, TMA6N90H, TMP6N90H