Справочник MOSFET. TMU4N60H

 

TMU4N60H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TMU4N60H
   Маркировка: P4N60H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
   Время нарастания (tr): 22 ns
   Выходная емкость (Cd): 69.5 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для TMU4N60H

 

 

TMU4N60H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  cn wuxi unigroup
tma4n60h tmu4n60h tmd4n60h tmp4n60h.pdf

TMU4N60H
TMU4N60H

TMA4N60H,TMU4N60H,TMD4N60H, TMP4N60H Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Inf

 7.1. Size:317K  trinnotech
tmd4n60 tmu4n60.pdf

TMU4N60H
TMU4N60H

TMD4N60/TMU4N60TMD4N60G/TMU4N60GVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 4A Low gate chargeRDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationD-PAKDI-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD4N60/TMU4N60 D-PAK/I-PAK TMD4N60/TMU4N60 RoHSTMD4N60G/TMU4N60G D-PAK/I-PAK

 7.2. Size:464K  trinnotech
tmd4n60az tmu4n60az.pdf

TMU4N60H
TMU4N60H

TMD4N60AZ(G)/TMU4N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A

 8.1. Size:453K  trinnotech
tmd4n65az tmu4n65az.pdf

TMU4N60H
TMU4N60H

TMD4N65AZ(G)/TMU4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

 8.2. Size:475K  trinnotech
tmd4n65z tmu4n65z.pdf

TMU4N60H
TMU4N60H

TMD4N65Z(G)/TMU4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top